Samsung представила новую флеш-память BV-NAND V10 и zHBM для ИИ
07.08.2026 18:07
Для задач ИИ Samsung также показала решение zHBM. Оно размещается непосредственно над ИИ-ускорителями, а не рядом с ними, как это обычно бывает. Благодаря этому сокращается путь передачи данных, что обеспечивает в 8 раз более высокую скорость работы, в 10 раз большую плотность по сравнению со стандартной HBM5 и при этом втрое меньшее энергопотребление.
Ещё одной новинкой стала zNAND-O — флеш-память, предназначенная для устройств, работающих на переднем крае ИИ, таких как смартфоны, умные камеры и другие подобные устройства. Также компания представила LPDDR5X-PIM — первую оперативную память, способную обрабатывать часть данных прямо внутри себя, не нагружая процессор.
Источник и фото: ferra.ru
