Samsung начнет производить 300-слойные чипы флеш-памяти
17.08.2023 22:36
Методом подразумевается создание одного стека 3D NAND на кремниевой пластине диаметром 300 мм и последующее наслоение второго стека поверх первого. На основе чипов флеш-памяти высокой плотности с более чем 300-ми слоями можно будет создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять SSD, уже представленные на рынке, сообщается на портале 3dnews.ru.
Будь в курсе самых интересных новостей от MOS.NEWS, подписывайся на наш Telegram.
